Nanoscale
31 Aug 2016
Mise en œuvre d'un apprentissage non associatif par un dispositif synaptique multiterminal basé sur un unique mémristor
Xue Yang,a Yichen Fang,a Zhizhen Yu,a Zongwei Wang,a Teng Zhang,a Minhui Yin,a Min Lin,a Yuchao Yang,ab Yimao Cai*ab and Ru Huangab
a Institut de microélectronique, Université de Pékin, Pékin, Chine
b Centre d'innovation en microélectronique et systèmes intégrés, Université de Pékin, Pékin, Chine
10.1039/C6NR04142F
Un dispositif à trois terminaux, composé d'un mémristor à base d'oxyde et d'un transistor NMOS, est ici proposé. Le mémristor, dont la conductance est réglable de manière progressive, fonctionne intrinsèquement comme la synapse entre les neurones sensoriels et les neurones moteurs, et présente une plasticité synaptique ajustable, tandis que le transistor NMOS connecté au mémristor est utilisé pour mimer l'effet modulateur du neuromodulateur libéré par les interneurones. Ce dispositif multiterminal basé sur un mémristor permet la mise en œuvre pratique d'un apprentissage non associatif significatif à partir d'un seul composant électronique. Dans cette étude, les comportements de modification induits par l'expérience, à la fois l'habituation et la sensibilisation, ont été réalisés avec succès. La dépendance de la réponse comportementale non associative vis-à-vis de l'intensité et de l'intervalle des stimuli présentés est également discutée.
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