Electron Service de conception de couverture de journal (OTS)

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15 June 2024

Dispositif de commutation électrique à base de Sb-Se avec une vitesse de transition rapide et une dégradation des performances minimisée en raison d'états intermédiaires stables

Xianliang Mai^1,†, Qundao Xu^1,†, Zhe Yang^1,†, Huan Wang¹, Yongpeng Liu¹, Yinghua Shen¹, Hengyi Hu¹, Meng Xu², Zhongrui Wang², Hao Tong^1,3, Chengliang Wang^1,*, Xiangshui Miao^1,3, Ming Xu^1,3,*

10.1002/elt2.46

Le dispositif de commutation à seuil ovonique (OTS) à base de chalcogénure, réputé pour sa rapidité et sa fiabilité, s'impose comme un composant indispensable des puces mémoire et des architectures informatiques neuromorphiques. Néanmoins, ce matériau fonctionnel est sujet à la relaxation vitreuse, ce qui entraîne une dégradation des performances et une variabilité de la tension de commutation de seuil sur plusieurs cycles de commutation. Dans cette image de couverture (DOI : 10.1002/elt2.46), les auteurs ont proposé un dispositif OTS binaire simple pour résoudre ce problème. Une exploration approfondie, par des calculs de principes fondamentaux, a révélé les mécanismes fondamentaux qui sous-tendent les performances robustes du matériau.